반도체 연구하기/메모리 반도체 소자8 메모리 반도체 소자 - NAND FLASH, NOR FLASH 차이, 동작 원리 쉽게 이해하기! 오늘은 NAND와 NOR Flash 메모리에 대해서 이해해 보겠습니다! 먼저 DRAM과 다르게 Flash memory는 비휘발성 메모리입니다.(Non-volatile memory) Flash에서 NAND와 NOR는 write방식이 다릅니다. 그리고 이름이 nand와 nor인 이유는 nand와 nor를 트랜지스터로 만들었을 때 배열 형태가 다른데 그 모양이 flash소자의 cell array형태를 만들 때 비슷하기 때문입니다. 이렇게 모양이 있을 때 NMOS소자를 보시면 그 모양이 flash 소자의 array형태와 비슷하여 만들어진 이름입니다. 자 이제 Flash메모리의 동작원리에 대해 알아보겠습니다! 소자 하나부터 살펴보도록 할게요! 위 그림과 같이 일반적인 transistor에서 floating gat.. 2024. 2. 13. DRAM의 발전방향 cell capacitor, materials 쉽게 파악하기! 오늘은 최신 DRAM의 기술들에 대해 알아보도록 하겠습니다. DRAM의 cell하나는 하나의 transistor와 하나의 capacitor로 구성되어 있습니다. 오늘은 capacitor를 어떻게 바꿀 수 있는지, transistor에서는 어떤 것을 바꿔서 dram cell 성능을 향상할 수 있는지 알아보겠습니다. ※ Capacitor 일단 capacitance를 구하는 식은 위의 그림과 같습니다. 우리는 parallel-plate를 생각하고 문제를 이해하면 됩니다. 그러면 저번 포스팅에서 설명했듯이 cell capacitance는 높일 수록 전하를 더 많이 저장할 수 있고, △Vth가 높아지게 되면서 sensing margin이 높아진다고 설명했습니다. 따라서 cell capacitance를 높이는 방법.. 2024. 2. 10. DRAM cell 구조 쉽게 이해하기! 3D DRAM architecture, 8F2, 6F2, 4F2 오늘은 회로적인 부분이 아닌 실제 소자 구조에서 DRAM transistor가 어떻게 생겼는지 배워보겠습니다. 이 그림을 보고 DRAM의 cell transistor라는 것을 확인하실 수 있나요? 일단 STI는 옆 소자와의 전기적인 차단을 위해서 만들어놓은 유전체입니다. 그래서 STI와 STI 사이를 보시면, transistor cell 두 개가 있는데, 눈치채셨을까요? WL이 word line이고, Source에 Bit line이 연결되어 있습니다. 그럼 D(drain)에는 capacitor가 연결되어 있겠네요. Bit line하나를 두 word line이 공유하고 있습니다. 이를 3D로 보면 왼쪽의 그림과 같습니다. 1번 주황색으로 표현된 부분이 capacitor 부분입니다. 2번이 cap으로 가기 .. 2024. 2. 9. DRAM cell transistor 구조, RCAT, BCAT, SRCAT, DRAM architecture, 소자 구조 쉽게 이해하기 저번 포스팅에서 DRAM의 leakage current에 관한 내용을 다루었습니다. https://univ-life-record.tistory.com/entry/Transistor-leakage-current-GIDL-DIBLVt-roll-off-short-channel-effect-핵심만-쉽게-이해하기 Transistor leakage current, GIDL, DIBL(Vt roll-off, short channel effect) 핵심만! 쉽게 이해하기! 오늘은 transistor의 leakage current가 뭐가 있는지 알아보고 그중에서도 GIDL과 DIBL에 대해서 알아보겠습니다! charge loss 경로에서 5가지만 보겠습니다. 그림은 참고만 하시고 아래 번호와는 상관이 없 univ-lif.. 2024. 2. 8. 이전 1 2 다음
