반도체 연구하기24 반도체 공정 : Ion implantation(이온주입공정)_1탄. Diffusion(확산공정)과의 비교, 중요 파라미터들 안녕하세요! 오늘은 이온주입 공정에 대해 배워보겠습니다. 이번에는 이온주입공정이 어떤 공정인지, 어떤 요소들을 고려해야 할지 등을 알아보겠습니다. 1. 이온주입공정(What is Ion Implantation?) 이온주입공정은 말 그대로 Silicon에 이온을 주입하는 공정입니다. 그러면 이 공정이 왜 필요할까요? 1. Carrier의 농도를 바꿔서 비저항을 바꾼다. 2. Conductivity type을 바꾼다.(n-type, p-type) 2. 이온주입공정과 확산공정의 차이(Ion Implantaion vs Diffusion) 위 그림에서 a)는 확산공정(Diffusion)을 나타내고 b)는 이온주입공정(Ion Implantation)을 나타냅니다. 두 공정 다 dopant를 주입한다는 점에서 목적이.. 2024. 4. 6. 반도체 단위 공정 - 확산공정, Diffusion 엄청 쉽게 이해하기! (fick's law) 안녕하세요! 오늘은 반도체 단위 공정 중 하나인 diffusion에 대해 배워보겠습니다. Diffusion의 fick's law를 들어가기 전에 두 가지를 먼저 보고 가겠습니다. 1. Flux diffusion을 배우려면 가장 기본적으로 알아야 하는게 Flux입니다. Flux가 뭘까요? Flux = (#, mol수, 원자의 개수) / (단위시간 * 단위면적) 단위시간 동안 단위면적에 지나가는 원자의 개수라고 쉽게 생각하시면 됩니다!! 2. Diffusion coefficient(D) Diffusion coefficient(D)는 다음 식과 같이 쓰입니다. Diffusion이라는 것 자체가 특정 물질 A가 특정 물질 B로 확산되는 것을 의미합니다. 즉, 특정 물질 A가 특정 물질 B로 확산될 때 정해지는 .. 2024. 3. 27. 메모리 반도체 소자 - NAND FLASH, NOR FLASH 차이, 동작 원리 쉽게 이해하기! 오늘은 NAND와 NOR Flash 메모리에 대해서 이해해 보겠습니다! 먼저 DRAM과 다르게 Flash memory는 비휘발성 메모리입니다.(Non-volatile memory) Flash에서 NAND와 NOR는 write방식이 다릅니다. 그리고 이름이 nand와 nor인 이유는 nand와 nor를 트랜지스터로 만들었을 때 배열 형태가 다른데 그 모양이 flash소자의 cell array형태를 만들 때 비슷하기 때문입니다. 이렇게 모양이 있을 때 NMOS소자를 보시면 그 모양이 flash 소자의 array형태와 비슷하여 만들어진 이름입니다. 자 이제 Flash메모리의 동작원리에 대해 알아보겠습니다! 소자 하나부터 살펴보도록 할게요! 위 그림과 같이 일반적인 transistor에서 floating gat.. 2024. 2. 13. DRAM의 발전방향 cell capacitor, materials 쉽게 파악하기! 오늘은 최신 DRAM의 기술들에 대해 알아보도록 하겠습니다. DRAM의 cell하나는 하나의 transistor와 하나의 capacitor로 구성되어 있습니다. 오늘은 capacitor를 어떻게 바꿀 수 있는지, transistor에서는 어떤 것을 바꿔서 dram cell 성능을 향상할 수 있는지 알아보겠습니다. ※ Capacitor 일단 capacitance를 구하는 식은 위의 그림과 같습니다. 우리는 parallel-plate를 생각하고 문제를 이해하면 됩니다. 그러면 저번 포스팅에서 설명했듯이 cell capacitance는 높일 수록 전하를 더 많이 저장할 수 있고, △Vth가 높아지게 되면서 sensing margin이 높아진다고 설명했습니다. 따라서 cell capacitance를 높이는 방법.. 2024. 2. 10. 이전 1 2 3 4 ··· 6 다음
