반도체 연구하기/Semiconductor processing(반도체 공정)14 반도체 공정 : Ion implantation(이온주입공정)_1탄. Diffusion(확산공정)과의 비교, 중요 파라미터들 안녕하세요! 오늘은 이온주입 공정에 대해 배워보겠습니다. 이번에는 이온주입공정이 어떤 공정인지, 어떤 요소들을 고려해야 할지 등을 알아보겠습니다. 1. 이온주입공정(What is Ion Implantation?) 이온주입공정은 말 그대로 Silicon에 이온을 주입하는 공정입니다. 그러면 이 공정이 왜 필요할까요? 1. Carrier의 농도를 바꿔서 비저항을 바꾼다. 2. Conductivity type을 바꾼다.(n-type, p-type) 2. 이온주입공정과 확산공정의 차이(Ion Implantaion vs Diffusion) 위 그림에서 a)는 확산공정(Diffusion)을 나타내고 b)는 이온주입공정(Ion Implantation)을 나타냅니다. 두 공정 다 dopant를 주입한다는 점에서 목적이.. 2024. 4. 6. 반도체 단위 공정 - 확산공정, Diffusion 엄청 쉽게 이해하기! (fick's law) 안녕하세요! 오늘은 반도체 단위 공정 중 하나인 diffusion에 대해 배워보겠습니다. Diffusion의 fick's law를 들어가기 전에 두 가지를 먼저 보고 가겠습니다. 1. Flux diffusion을 배우려면 가장 기본적으로 알아야 하는게 Flux입니다. Flux가 뭘까요? Flux = (#, mol수, 원자의 개수) / (단위시간 * 단위면적) 단위시간 동안 단위면적에 지나가는 원자의 개수라고 쉽게 생각하시면 됩니다!! 2. Diffusion coefficient(D) Diffusion coefficient(D)는 다음 식과 같이 쓰입니다. Diffusion이라는 것 자체가 특정 물질 A가 특정 물질 B로 확산되는 것을 의미합니다. 즉, 특정 물질 A가 특정 물질 B로 확산될 때 정해지는 .. 2024. 3. 27. Thermal Oxidation(산화 공정) 3분만에 깊게 이해하기! SiO2가 반도체 공정에서 쓰이는 곳! 안녕하세요! 오늘은 산화공정(Thermal Oxidation)에 대해 배워보도록 하겠습니다. 산화공정은 공정 중 유일한 고온공정(900~1200도)입니다. 높은 온도에서 하는 공정이니 반도체 칩에 안 좋은 영향이 있을 수밖에 없습니다. 특히 금속이 있으면 고온공정이 불가하기 때문에 공정 과정에 초반에 사용할 수 있습니다. 특히 SiO2를 생성할 때만 쓰인다고 봐도 무방합니다. 최신에는 많이 쓰는 공정은 아닌 것 같아요! 그래서 SiO2를 반도체 공정 중 언제 쓰는지에 대해 알아볼게요! (SiO2만들 때만 Thermal Oxidation을 사용하기 때문!) 1. Gate Dielectric(gate oxide) MOSFET구조에서 Gate Oxide는 매우 중요한 역할을 합니다. 특히 gate oxide는.. 2023. 6. 23. Oxidation - Deal-Grove Model(산화, 딜 그루브 모델) 쉽게 이해하기! 안녕하세요. 오늘은 Oxidation 과정을 이해하기 위한 Deal-Grove model에 대해서 공부해 보겠습니다. Deal-Grove model을 설명할 때 자주 나오는 그림입니다. 위 그래프에 대해서 설명하겠습니다. 먼저 Flux가 뭔지 알아야 합니다. F(Flux)는 시간당 단위면적을 통과하는 분자수입니다. 이러한 Flux가 총 세 가지가 있습니다. 1. gas transport flux 기체가 이동하는 flux h : mass transfer coefficient 2. diffusion flux through SiO2 Si와 반응하기 위해서 SiO2를 뚫고 가는 Flux D : diffusivity 3. reaction flux at interface 실리콘과 반응해서 SiO2생성 Ks : su.. 2023. 6. 22. 이전 1 2 3 4 다음
