전체 글64 DRAM의 발전방향 cell capacitor, materials 쉽게 파악하기! 오늘은 최신 DRAM의 기술들에 대해 알아보도록 하겠습니다. DRAM의 cell하나는 하나의 transistor와 하나의 capacitor로 구성되어 있습니다. 오늘은 capacitor를 어떻게 바꿀 수 있는지, transistor에서는 어떤 것을 바꿔서 dram cell 성능을 향상할 수 있는지 알아보겠습니다. ※ Capacitor 일단 capacitance를 구하는 식은 위의 그림과 같습니다. 우리는 parallel-plate를 생각하고 문제를 이해하면 됩니다. 그러면 저번 포스팅에서 설명했듯이 cell capacitance는 높일 수록 전하를 더 많이 저장할 수 있고, △Vth가 높아지게 되면서 sensing margin이 높아진다고 설명했습니다. 따라서 cell capacitance를 높이는 방법.. 2024. 2. 10. DRAM cell 구조 쉽게 이해하기! 3D DRAM architecture, 8F2, 6F2, 4F2 오늘은 회로적인 부분이 아닌 실제 소자 구조에서 DRAM transistor가 어떻게 생겼는지 배워보겠습니다. 이 그림을 보고 DRAM의 cell transistor라는 것을 확인하실 수 있나요? 일단 STI는 옆 소자와의 전기적인 차단을 위해서 만들어놓은 유전체입니다. 그래서 STI와 STI 사이를 보시면, transistor cell 두 개가 있는데, 눈치채셨을까요? WL이 word line이고, Source에 Bit line이 연결되어 있습니다. 그럼 D(drain)에는 capacitor가 연결되어 있겠네요. Bit line하나를 두 word line이 공유하고 있습니다. 이를 3D로 보면 왼쪽의 그림과 같습니다. 1번 주황색으로 표현된 부분이 capacitor 부분입니다. 2번이 cap으로 가기 .. 2024. 2. 9. DRAM cell transistor 구조, RCAT, BCAT, SRCAT, DRAM architecture, 소자 구조 쉽게 이해하기 저번 포스팅에서 DRAM의 leakage current에 관한 내용을 다루었습니다. https://univ-life-record.tistory.com/entry/Transistor-leakage-current-GIDL-DIBLVt-roll-off-short-channel-effect-핵심만-쉽게-이해하기 Transistor leakage current, GIDL, DIBL(Vt roll-off, short channel effect) 핵심만! 쉽게 이해하기! 오늘은 transistor의 leakage current가 뭐가 있는지 알아보고 그중에서도 GIDL과 DIBL에 대해서 알아보겠습니다! charge loss 경로에서 5가지만 보겠습니다. 그림은 참고만 하시고 아래 번호와는 상관이 없 univ-lif.. 2024. 2. 8. Transistor leakage current, GIDL, DIBL(Vt roll-off, short channel effect) 핵심만! 쉽게 이해하기! 오늘은 transistor의 leakage current가 뭐가 있는지 알아보고 그중에서도 GIDL과 DIBL에 대해서 알아보겠습니다! charge loss 경로에서 5가지만 보겠습니다. 그림은 참고만 하시고 아래 번호와는 상관이 없는 그림입니다. 1. GIDL current 아래서 자세히 설명하겠습니다. 2. Juction leakage 저번 포스팅에서 p-well의 도핑 농도를 높임으로써 p-well과 source, drain의 공핍층이 얇아져 전자가 tunneling 될 수 있다고 설명했습니다. 이때 발생하는 leakage가 juction leakage입니다. 3. Off-state current off-state current source에서 drain으로 흐르는 전류를 의미합니다. 4. STI .. 2024. 2. 8. Transistor cell의 scaling challenges - 전압 측면 오늘은 cell transistor를 scaling 하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 왜 해야 할까요? 저번에 본 것처럼 DRAM NAND와 같은 메모리반도체는 전류의 leakage가 있으면 안됩니다. 즉, capacitor에 저장된 전하를 잘 저장하고 있어야 합니다. 하지만, 메모리를 중심으로 생각하여 cell transistor를 만들게 되면, 그만큼 동작속도가 느려진다는.. trade-off관계입니다. 동작속도가 느려질 경우 빠른 연산을 해야 하는 시스템 반도체에서 bottle neck현상이 발생할 수 있습니다. 따라서 이 타협점을 엔지니어가 잘 정해서 설계해야 합니다. 그러면 cell transistor에서 어떤 파라미터 값을 바꿀 수 있는지 알아보겠습니다. 1. Voltage scaling 2... 2024. 2. 6. DRAM 동작 원리, DRAM operation 개쉽게 이해하기! 오늘은 DRAM의 동작원리에 대해 쉽게 이해해 보겠습니다. 일단 DRAM의 cell 하나가 어떻게 구성되었는지 알아야 합니다. 바로 1T1C 구조라고 불리는!! 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성됩니다. 바로 이렇게 구성되어 있습니다. capacitor의 역할은 정보를 저장하는 것입니다. 0 또는 1의 정보를 저장하죠. 트랜지스터는 전류가 흐르는 통로를 open 시키거나 short 시킬 수 있습니다. 트랜지스터나 capacitor의 동작원리는 mosfet을 정리할 때 자세히 다루겠습니다. 자!! 그러면 트랜지스터는 통로를 열거나 닫고, capacitor는 0과 1의 정보를 저장한다.. DRAM이 어떻게 정보를 저장하는지 감이 오시나요? 저 그림 1에서 보이는 Select line은 흔히 word .. 2024. 2. 5. 이전 1 2 3 4 5 6 ··· 11 다음
