분류 전체보기64 Transistor cell의 scaling challenges - 전압 측면 오늘은 cell transistor를 scaling 하는 방법에 대해 알아보겠습니다. 왜 해야 할까요? 저번에 본 것처럼 DRAM NAND와 같은 메모리반도체는 전류의 leakage가 있으면 안됩니다. 즉, capacitor에 저장된 전하를 잘 저장하고 있어야 합니다. 하지만, 메모리를 중심으로 생각하여 cell transistor를 만들게 되면, 그만큼 동작속도가 느려진다는.. trade-off관계입니다. 동작속도가 느려질 경우 빠른 연산을 해야 하는 시스템 반도체에서 bottle neck현상이 발생할 수 있습니다. 따라서 이 타협점을 엔지니어가 잘 정해서 설계해야 합니다. 그러면 cell transistor에서 어떤 파라미터 값을 바꿀 수 있는지 알아보겠습니다. 1. Voltage scaling 2... 2024. 2. 6. DRAM 동작 원리, DRAM operation 개쉽게 이해하기! 오늘은 DRAM의 동작원리에 대해 쉽게 이해해 보겠습니다. 일단 DRAM의 cell 하나가 어떻게 구성되었는지 알아야 합니다. 바로 1T1C 구조라고 불리는!! 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성됩니다. 바로 이렇게 구성되어 있습니다. capacitor의 역할은 정보를 저장하는 것입니다. 0 또는 1의 정보를 저장하죠. 트랜지스터는 전류가 흐르는 통로를 open 시키거나 short 시킬 수 있습니다. 트랜지스터나 capacitor의 동작원리는 mosfet을 정리할 때 자세히 다루겠습니다. 자!! 그러면 트랜지스터는 통로를 열거나 닫고, capacitor는 0과 1의 정보를 저장한다.. DRAM이 어떻게 정보를 저장하는지 감이 오시나요? 저 그림 1에서 보이는 Select line은 흔히 word .. 2024. 2. 5. Logic vs Memory devices(시스템 반도체, 메모리 반도체의 차이 쉽게 이해하기!) 안녕하세요! 오늘은 흔히 말하는 메모리 반도체와 비메모리(시스템)반도체에 관해 설명하겠습니다. 일단 단어 먼저! 메모리 반도체 = memory device 비메모리 반도체 = 시스템 반도체 = logic device 이 단어들을 섞어서 쓰겠습니다! 일단 메모리 반도체는 정보를 기억하는 역할을 하고, 시스템 반도체는 연산을 하죠! 각각의 역할이 다르기 때문에 기술의 발전 방향도 약간 다릅니다. 둘 다 transistor를 이용합니다. 이번에 transistor 측면에서 logic(시스템) device와 memory device의 차이에 대해 설명하려고 합니다. transistor를 공부하면, 나오는 식이 있는데요, 오늘은 이 식을 가져다 사용하고 다음번에 이 식이 어떻게 나왔는지 유도해 볼게요! Logic.. 2024. 2. 4. Thermal Oxidation(산화 공정) 3분만에 깊게 이해하기! SiO2가 반도체 공정에서 쓰이는 곳! 안녕하세요! 오늘은 산화공정(Thermal Oxidation)에 대해 배워보도록 하겠습니다. 산화공정은 공정 중 유일한 고온공정(900~1200도)입니다. 높은 온도에서 하는 공정이니 반도체 칩에 안 좋은 영향이 있을 수밖에 없습니다. 특히 금속이 있으면 고온공정이 불가하기 때문에 공정 과정에 초반에 사용할 수 있습니다. 특히 SiO2를 생성할 때만 쓰인다고 봐도 무방합니다. 최신에는 많이 쓰는 공정은 아닌 것 같아요! 그래서 SiO2를 반도체 공정 중 언제 쓰는지에 대해 알아볼게요! (SiO2만들 때만 Thermal Oxidation을 사용하기 때문!) 1. Gate Dielectric(gate oxide) MOSFET구조에서 Gate Oxide는 매우 중요한 역할을 합니다. 특히 gate oxide는.. 2023. 6. 23. 이전 1 2 3 4 5 6 7 8 ··· 16 다음
