분류 전체보기64 Oxidation - Deal-Grove Model(산화, 딜 그루브 모델) 쉽게 이해하기! 안녕하세요. 오늘은 Oxidation 과정을 이해하기 위한 Deal-Grove model에 대해서 공부해 보겠습니다. Deal-Grove model을 설명할 때 자주 나오는 그림입니다. 위 그래프에 대해서 설명하겠습니다. 먼저 Flux가 뭔지 알아야 합니다. F(Flux)는 시간당 단위면적을 통과하는 분자수입니다. 이러한 Flux가 총 세 가지가 있습니다. 1. gas transport flux 기체가 이동하는 flux h : mass transfer coefficient 2. diffusion flux through SiO2 Si와 반응하기 위해서 SiO2를 뚫고 가는 Flux D : diffusivity 3. reaction flux at interface 실리콘과 반응해서 SiO2생성 Ks : su.. 2023. 6. 22. Wafer Cleaning(RCA cleaning, post CMP cleaning) 오늘은 wafer의 cleaing에 대해 다뤄보겠습니다. wafer를 만드는 과정에서, 그리고 공정과정에서도 많은 오염물이 묻습니다. 사람, 공기, 장치로부터... 특히 사람으로부터 sodium(Na)이 가장 많이 떨어져 wafer위로 떨어집니다. 오염물이 묻으면 심한 경우 malfunction이 될 수도 있기 때문에 오염물을 없애는 cleaning과정이 필수입니다. RCA cleaning wet cleaning 방법 중 하나입니다. RCA는 회사이름입니다. RCA cleaning은 크게 세 과정으로 나뉩니다. 1. Organic Clean 유기물을 제거하는 과정 2. Oxide strip 공정하기 전에 생긴 SiO2를 없애는 과정입니다. (실리콘 wafer가 Si이기 때문에 공기 중의 산소 O2와 만나.. 2023. 6. 21. Wafer Fabrication Flow(웨이퍼 제조 과정) 반도체 공정은 웨이퍼 위에 합니다. 그럼 이 웨이퍼를 어떻게 만드는지에 대해서 오늘 배워보겠습니다. wafer를 담는 Carrier Box 200mm 크기의 wafer까지는 보통 Wafer Boat, Wafer Box라고 불리는 곳에 wafer를 담았습니다. 그리고 여기서 웨이퍼를 꺼내서 공정하기 때문에 청정실 자체가 class1이어야 했습니다. 하지만 300mm(12inch)크기의 wafer를 쓰는 현재는 FOUP(Front Unified Pod)에 wafer를 담습니다. 그리고 이 자체내부가 class1이라서 청정실은 class10 정도여도 됩니다. 이 그림에서 보면 사람이 있는 clean room의 청정도는 class10정도면 됩니다. 대신 FOUP과 FOUP의 뚜껑을 열어주는 EFEM(Equipm.. 2023. 6. 20. Conductivity : carrier concentration, mobility with temperature 온도에 따른 캐리어 농도와 이동도의 변화, 그리고 전도도의 상관관계 1. Temperature dependance : Carrier Concentration (온도와 캐리어 농도의 상관관계) 위 그래프가 temperature(온도)와 carrier concentration(캐리어 농도)의 상관관계 그래프입니다. 그래프를 해석하기 전에 생각해야 할 부분이 두 가지입니다. 1. 가로축이 1/T라는 것을 생각해야 합니다. 2. Nd라고 표시된 것을 보아 donor로 도핑되어 있습니다. (15족, n-type) Phase1 온도 상승 초기 n-type도핑이 되어 있기 때문에 불순물 전자들이 존재합니다. 이 전자들이 conduction band로 넘어가 free electron이 되는 영역입니다. Phase2 온도 상승 중기 이 영역에서는 온도를 일정 수준 올려봤자 온도 상승 초.. 2023. 6. 19. 이전 1 ··· 3 4 5 6 7 8 9 ··· 16 다음
